Bazele dispozitivelor semiconductoare
Dan Sachelarie

CAPITOLUL 1. Istoria microelectronicii PARTEA I: Semiconductoare la echilibru termodinamic CAPITOLUL 2. Materiale semiconductoare CAPITOLUL 3. Atomi si electroni CAPITOLUL 4. Benzi de energie CAPITOLUL 5. Echilibrul termodinamic PARTEA a II-a: Semiconductoare la neechilibru CAPITOLUL 6. DRIFT si difuzie CAPITOLUL 7. Recombinare PARTEA a III-a: Jonctiuni PN CAPITOLUL 8. Fizica jonctiunii PN CAPITOLUL 9. Electrostatica jonctiunilor PN CAPITOLUL 10. Caracteristica directa I-V in regim static CAPITOLUL 11. Caracteristica inversa I-V CAPITOLUL 12. Jonctiunea PN in regim dinamic PARTEA a IV-a: Tranzistoare bipolare cu jonctiune CAPITOLUL 13. Tranzistor BJT CAPITOLUL 14. Modelarea caracteristicilor statice BJT CAPITOLUL 15. Caracteristici dinamice de semnal mic BJT PARTEA a V-a: Dispozitive unipolare CAPITOLUL 16. Dioda metal-semiconductor CAPITOLUL 17. Capacitor MOS ideal CAPITOLUL 18. Dioda cu poarta CAPITOLUL 19. Tranzistoare cu efect de camp cu jonctiune JFET CAPITOLUL 20. Tranzistoare cu efect de camp de suprafata MOSFET PARTEA a VI-a: Fenomene de ordinul al doilea in dispozitive semiconductoare CAPITOLUL 21. Recombinare - Generare in regiunea de sarcina spatiala a jonctiunii PN CAPITOLUL 22. Nivelul mare de injectie CAPITOLUL 23. Tranzistoare bipolare DRIFT CAPITOLUL 24. Structura Al-SiO2-Si neideala